企业简介
![启东吉莱电子有限公司](http://img.czvv.com/logo/4c3024d793e3ef601de1019f/4c3024d793e3ef601de1019f.png)
启东吉莱电子有限公司的工商信息
- 320681400000508
- 91320681730124152Y
- 存续(在营、开业、在册)
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2001年08月23日
- 李建新
- 4092.681200
- 2001年08月23日 至 永久
- 启东市市场监督管理局
- 2017年12月26日
- 启东经济开发区锦绣路1800号
- 生产销售电子元器件、微电子器件,自营和代理各类商品和技术的进出口业务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
启东吉莱电子有限公司的域名
类型 | 名称 | 网址 |
网站 | QIDONGJILAI@sina.con |
启东吉莱电子有限公司的商标信息
启东吉莱电子有限公司的专利信息
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN103730488B | 一种切割槽形成可控硅穿通结构及其方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种切割槽形成可控硅穿通结构及其方法,一种切割槽形成可控硅穿通结构包括划切槽、穿通区和P |
2 | CN103730534B | 一种高压双向触发器件及其制作方法 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种高压双向触发器件及其制作方法,该器件包括N型半导体衬底、第一P阱和P阱层,该触发器件 |
3 | CN103730430B | 一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构及其制备工艺 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构,包括P型硼结区和N型磷结区,N型磷结区上下两 |
4 | CN103730465B | 一种线性恒流器件及其制作方法 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种线性恒流器件,由P型硅片制作而成,具有结构简单、设计制作成本低、使用方便的优点。其制 |
5 | CN102790083B | 一种改进的可控硅结构及其生产工艺 | 2015.05.20 | 本发明公开了一种改进的可控硅结构,包括台面槽、穿通环、长基区、正面短基区、背面短基区、阴极区和门极区 |
6 | CN102789981B | 一种可控硅的生产工艺 | 2015.02.25 | 本发明公开了一种可控硅的生产工艺,包括双面抛光片步骤、氧化步骤、光刻穿通步骤、进行穿通扩散步骤、光刻 |
7 | CN102789980B | 一种提高电压的短基区结构的生产工艺 | 2015.01.07 | 本发明涉及一种提高电压的短基区结构的生产工艺,包括双面抛光片步骤、氧化步骤、光刻穿通步骤、进行穿通扩 |
8 | CN203659872U | 一种可控硅边缘结构 | 2014.06.18 | 本实用新型公开了一种可控硅边缘结构,包括阴极区,该阴极区的三个拐角边缘为内弯大圆弧,该内弯大圆弧的弧 |
9 | CN203659843U | 一种双台面可控硅器件封装结构 | 2014.06.18 | 本实用新型公开了一种双台面可控硅器件封装结构,该封装结构自上而下依次包括双台面可控硅芯片、软焊料和线 |
10 | CN203659862U | 一种线性恒流器件 | 2014.06.18 | 本实用新型公开了一种线性恒流器件,包括P型硅片,P型硅片的背面为金属化阴极电极、正面生长有P型外延层 |
11 | CN203659867U | 一种新型高压双向触发器件 | 2014.06.18 | 本实用新型公开了一种新型高压双向触发器件,该器件包括N型半导体衬底、第一P阱和P阱层,该触发器件的四 |
12 | CN203659874U | 一种切割槽形成的可控硅穿通结构 | 2014.06.18 | 本实用新型公开了一种切割槽形成的可控硅穿通结构,该结构包括划切槽、穿通区和P<sup>-</sup> |
13 | CN203659836U | 一种提高双台面可控硅器件封装结构 | 2014.06.18 | 本实用新型公开了一种提高双台面可控硅器件封装结构,该封装结构自上而下依次包括双台面可控硅芯片、软焊料 |
14 | CN203659837U | 一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构 | 2014.06.18 | 本实用新型公开了一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构,包括P型硼结区和N型磷结区,N型磷结区上 |
15 | CN203659873U | 一种提高正向耐压的可控硅台面结构 | 2014.06.18 | 本实用新型公开一种提高正向耐压的可控硅台面结构,包括阴极区、短基区、长基区、台面槽和硼穿通扩散区,所 |
16 | CN103730487A | 一种提高正向耐压的可控硅台面结构及其制造工艺 | 2014.04.16 | 本发明公开一种提高正向耐压的可控硅台面结构,包括阴极区、短基区、长基区、台面槽和硼穿通扩散区,所述硼 |
17 | CN103730534A | 一种新型高压双向触发器件及其制作方法 | 2014.04.16 | 本发明公开了一种新型高压双向触发器件及其制作方法,该器件包括N型半导体衬底、第一P阱和P阱层,该触发 |
18 | CN103730430A | 一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构及其制备工艺 | 2014.04.16 | 本发明公开了一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构,包括P型硼结区和N型磷结区,N型磷结区上下两 |
19 | CN103730488A | 一种切割槽形成可控硅穿通结构及其方法 | 2014.04.16 | 本发明公开了一种切割槽形成可控硅穿通结构及其方法,一种切割槽形成可控硅穿通结构包括划切槽、穿通区和P |
20 | CN103730465A | 一种线性恒流器件及其制作方法 | 2014.04.16 | 本发明公开了一种线性恒流器件,由P型硅片制作而成,具有结构简单、设计制作成本低、使用方便的优点。其制 |
21 | CN101901833B | 一种提高开关速度的单向可控硅结构及其生产方法 | 2013.04.03 | 本发明公开了一种提高开关速度的单向可控硅结构以及提高单向可控硅开关速度的生产方法。一种提高开关速度的 |
22 | CN202772138U | 一种改进的可控硅结构 | 2013.03.06 | 本实用新型公开了一种改进的可控硅结构,包括台面槽、穿通环、长基区、正面短基区、背面短基区、阴极区和门 |
23 | CN102789980A | 一种提高电压的短基区结构的生产工艺 | 2012.11.21 | 本发明涉及一种提高电压的短基区结构的生产工艺,包括双面抛光片步骤、氧化步骤、光刻穿通步骤、进行穿通扩 |
24 | CN102789981A | 一种可控硅的生产工艺 | 2012.11.21 | 本发明公开了一种可控硅的生产工艺,包括双面抛光片步骤、氧化步骤、光刻穿通步骤、进行穿通扩散步骤、光刻 |
25 | CN102790083A | 一种改进的可控硅结构及其生产工艺 | 2012.11.21 | 本发明公开了一种改进的可控硅结构,包括台面槽、穿通环、长基区、正面短基区、背面短基区、阴极区和门极区 |
26 | CN101901832B | 一种镓扩散形成可控硅穿通结构的生产方法 | 2012.05.23 | 本发明公开了一种镓扩散形成可控硅穿通结构的生产方法,其生产方法包括:N型硅片生长氧化层和光刻穿通环步 |
27 | CN101937928B | 一种消除穿通光刻针孔危害的可控硅结构生产方法 | 2012.04.25 | 本发明涉及一种消除穿通光刻针孔危害的可控硅结构生产方法,其特征是:包括生长一层较厚的一次氧化层、一次 |
28 | CN101901763B | 可控硅生产工艺 | 2011.12.07 | 本发明涉及可控硅生产工艺,包括氧化、光刻穿通环、进行穿通扩散、短基区扩散和光刻阴极步骤,其特征是光刻 |
29 | CN202025760U | 一种提高可靠性的晶闸管结构 | 2011.11.02 | 本实用新型涉及一种提高可靠性的晶闸管结构,所述该晶闸管的阴极区均布有短路条。本实用新型所采用的晶闸管 |
30 | CN202025758U | 一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构 | 2011.11.02 | 本实用新型涉及一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构,包括隔离穿通区和基片,所述基片位于隔离穿 |
31 | CN102157552A | 一种提高可靠性的晶闸管结构及生产方法 | 2011.08.17 | 本发明公开了一种提高可靠性的晶闸管结构,该晶闸管的阴极区均布有短路条。本发明还公开了提高晶闸管可靠性 |
32 | CN102157547A | 一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构及其生产方法 | 2011.08.17 | 本发明涉及一种提高晶闸管高电压和大电流耐量的短基区结构及其生产方法,一种提高晶闸管高电压和大电流耐量 |
33 | CN201804871U | 一种镓扩散形成的可控硅穿通结构 | 2011.04.20 | 本实用新型涉及一种镓扩散形成的可控硅穿通结构,包括可控硅长基区,其特征是还包括镓穿通扩散区,所述镓穿 |
34 | CN201804872U | 一种提高开关速度的单向可控硅结构 | 2011.04.20 | 本实用新型涉及一种提高开关速度的单向可控硅结构,包括可控硅片,其特征是所述可控硅片正面生成有氧化层, |
35 | CN201804873U | 一种减少穿通时间的可控硅结构 | 2011.04.20 | 本实用新型涉及一种减少穿通时间的可控硅结构,包括阴极区、P-短基区、长基区、台面槽和硼穿通扩散区,所 |
36 | CN201773841U | 一种加快台面腐蚀槽进度的可控硅结构 | 2011.03.23 | 本实用新型涉及一种加快台面腐蚀槽进度的可控硅结构,包括阴极区、短基区、长基区和穿通扩散区,其特征是所 |
37 | CN201766078U | 一种消除光刻针孔危害的可控硅结构 | 2011.03.16 | 本实用新型涉及一种消除光刻针孔危害的可控硅结构,包括可控硅片,其特征是所述可控硅片上生成有一次氧化层 |
38 | CN201765432U | 一种改进的阴极光刻版 | 2011.03.16 | 本实用新型涉及一种改进的阴极光刻版,包括正面阴极版和背面阴极版,其特征是所述正面阴极版在光刻可控硅片 |
39 | CN201708156U | 抗干扰性能强的单向可控硅结构 | 2011.01.12 | 本实用新型公开了一种抗干扰性能强的单向可控硅结构,包括台面槽、穿通环、阴极区和长基区,所述穿通环设于 |
40 | CN201707542U | 新型阴极光刻版 | 2011.01.12 | 本实用新型涉及新型阴极光刻版,包括正面阴极版和背面阴极版,其特征是所述背面阴极版为四象限触发电流无穷 |
41 | CN101937928A | 一种消除穿通光刻针孔危害的可控硅结构及其生产方法 | 2011.01.05 | 本发明涉及一种消除光刻针孔危害的可控硅结构,包括可控硅片,其特征是所述可控硅片上生成有一次氧化层、二 |
42 | CN101901764A | 一种提高可控硅开关参数的工艺方法 | 2010.12.01 | 本发明公开了一种提高可控硅开关参数的工艺方法,包括氧化、光刻穿通区、穿通扩散、短基区扩散、光刻阴极、 |
43 | CN101901832A | 一种镓扩散形成可控硅穿通结构及其生产方法 | 2010.12.01 | 本发明公开了一种镓扩散形成可控硅穿通结构及其生产方法,一种镓扩散形成可控硅穿通结构,包括可控硅长基区 |
44 | CN101901833A | 一种提高开关速度的单向可控硅结构及其生产方法 | 2010.12.01 | 本发明公开了一种提高开关速度的单向可控硅结构以及提高单向可控硅开关速度的生产方法。一种提高开关速度的 |
45 | CN101901763A | 可控硅生产工艺 | 2010.12.01 | 本发明涉及可控硅生产工艺,包括氧化、光刻穿通环、进行穿通扩散、短基区扩散和光刻阴极步骤,其特征是光刻 |
46 | CN101236903A | 提高双向小晶闸管Ⅲ象限触发灵敏度的工艺方法 | 2008.08.06 | 本发明涉及一种提高双向小晶闸管III象限触发灵敏度的工艺方法,通过改进现有双向晶闸管的生产工艺,使晶 |
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